Gerar a descarga
O plasma é estabelecido em baixa pressão diante da superfície da amostra.
Análise direta de materiais sólidos
Análise de Materiais por Glow Discharge
Da caracterização rápida de ligas e revestimentos à determinação de impurezas em níveis ultratraço: duas rotas complementares para revelar composição, pureza e distribuição dos elementos em profundidade.
Análise diretaMenos etapas de preparo
Camada a camadaPerfis de profundidade
Da matriz ao ppbRotas analíticas complementares
GD-Profiler 2HORIBA · GD-OES
ELEMENT GD PlusThermo Scientific · GD-MS
GD-OES + GD-MSDuas rotas complementares
Princípio comum
Como a descarga luminescente acessa o sólido
A amostra é posicionada na fonte como cátodo. Em baixa pressão, o argônio forma um plasma; seus íons bombardeiam uma área controlada da superfície e liberam material por sputtering. A informação analítica muda conforme a rota de detecção.
Corte esquemáticoFonte de descarga luminescente
Argônio · baixa pressãoÍons Ar⁺Átomos M da amostraÁrea analisada
01
A amostra fecha a célula como cátodo
Uma área definida da superfície fica exposta ao gás de descarga, sem dissolução química do sólido.
02
O plasma promove o sputtering
Íons Ar⁺ aceleram contra a amostra e removem átomos sucessivamente, formando uma cratera controlada.
03
O material removido gera o sinal
Átomos excitados emitem luz; espécies ionizadas podem ser extraídas e separadas conforme a massa.
ROTA ÓPTICAFótons → GD-OESLeitura simultânea e perfis rápidos de composição.
ROTA DE MASSAÍons → GD-MSAlta resolução para traços, ultratraços e pureza.
O perfil em profundidade é construído relacionando o sinal ao tempo de erosão. A conversão para profundidade pode usar calibração da taxa de sputtering ou medição direta, conforme o sistema e a configuração.
Remover camada a camada
O sputtering expõe sucessivamente revestimentos, interfaces e substrato.
Escolher a detecção
OES para rapidez e perfis; MS para alta pureza, traços e ultratraços.
Orientação por objetivo
Comparação entre as tecnologias
Selecione a prioridade da análise para visualizar a rota inicialmente mais adequada. A configuração final depende da matriz, da geometria da amostra e da faixa analítica.
Sua prioridade
Objetivo analítico e matriz
A seleção da técnica depende do material e do objetivo analítico.
ROTA RECOMENDADA
GD-OES · HORIBA GD-Profiler 2
Para investigar composição, espessura, interfaces e difusão em filmes finos ou camadas espessas com leitura simultânea e alta velocidade.
Quando considerar GD-MS tambémQuando o mesmo estudo exigir concentrações traço e ultratraço ou materiais de pureza elevada.
Portfólio complementar
Duas tecnologias, aplicações distintas
O hub não trata uma técnica como evolução da outra. Cada sistema ocupa uma faixa de decisão específica dentro da caracterização de materiais.
HORIBAOES
OESGD-Profiler 2
GD-OES Pulsed-RF para análise rápida e simultânea da composição elementar, da superfície ao material a granel.
✓Perfis elementares de filmes finos e camadas espessas.
✓Análise de materiais condutores, não condutores e híbridos.
✓Cobertura espectral para elementos leves, incluindo H, O, C, N e Cl.
✓Fonte RF pulsada adequada a materiais frágeis e sensíveis ao calor.
✓DiP para medição direta da profundidade e da taxa de erosão durante a análise.
120–800 nmFaixa espectral
nm → µmEscala de camadas
SimultâneoDetecção OES
THERMO SCIENTIFICMS
MSELEMENT GD Plus
GD-MS de alta resolução para análise direta de sólidos de alta pureza e determinação robusta de traços e ultratraços.
✓Determinação de muitos elementos até a faixa de ppb ou abaixo, conforme matriz e aplicação.
✓Três modos fixos de resolução de massa para remover interferências espectrais.
✓Faixa dinâmica superior a 12 ordens de grandeza, da matriz ao ultratraço.
✓Fonte fast-flow com troca de amostra rápida e alta produtividade.
✓Análise bulk e perfil de profundidade em materiais avançados.
>10¹²Faixa dinâmica
R 10.000Alta resolução
até 5/hAmostras
Aplicações por material
Da superfície à pureza do sólido
A rota pode mudar conforme o objetivo. Um mesmo setor pode usar GD-OES para camadas e GD-MS para impurezas em níveis muito baixos.
Metais e ligas
Composição, tratamentos superficiais, segregação, difusão e controle de processo.
GD-OES + GD-MSRevestimentos e camadas
Espessura, interfaces, gradientes e distribuição elementar em profundidade.
Prioridade GD-OESMateriais de alta pureza
Impurezas críticas em metais, ligas especiais e materiais tecnológicos.
Prioridade GD-MSSemicondutores
Silício, alvos de sputtering, wafers, camadas funcionais e contaminantes.
GD-OES + GD-MSBaterias e energia
Eletrodos, interfaces, materiais ativos, difusão e impurezas elementares.
GD-OES + GD-MSAeroespacial
Superligas de níquel, titânio, coatings e camadas de difusão.
GD-OES + GD-MSFotovoltaicos e eletrônica
Filmes finos, células solares, contatos metálicos e materiais eletrônicos.
GD-OES + GD-MSPesquisa de materiais
Desenvolvimento, falhas, comparação de processos e caracterização avançada.
Conforme objetivoComparativo técnico
GD-OES ou GD-MS?
Uma visão prática das diferenças de posicionamento. Valores finais dependem da configuração, do elemento e da matriz analisada.
| Critério | GD-OES · GD-Profiler 2 | GD-MS · ELEMENT GD Plus |
|---|---|---|
| Foco principal | Velocidade, composição e perfis de camadas | Alta pureza, traço e ultratraço |
| Detecção | Emissão óptica simultânea | Espectrometria de massas de alta resolução |
| Faixa típica de interesse | De constituintes majoritários a níveis baixos, conforme elemento e matriz | Da matriz a traços e ultratraços; muitos elementos na faixa de ppb |
| Perfil de profundidade | Excelente para rotina, filmes e multicamadas | Disponível com alta sensibilidade elementar |
| Materiais | Condutores, não condutores e híbridos com fonte RF pulsada | Condutores e muitos não condutores, conforme preparo e configuração |
| Produtividade | Muito alta; análise simultânea e rápida | Alta para GD-MS; até 5 amostras por hora em aplicações adequadas |
| Interferências espectrais | Seleção de linhas e configuração óptica | Três resoluções fixas para separação de interferências |
| Aplicação principal | “Como a composição muda da superfície ao substrato?” | “Quais impurezas existem e em que nível no material?” |
A análise por Glow Discharge é localizada e destrutiva: a pulverização forma uma cratera na região medida. A SENS avalia amostra, objetivo e requisitos antes de definir a solução.
Biblioteca técnica
Catálogos para download
Arquivos incorporados nesta página. O download funciona sem acessar servidores externos.
GD-Profiler 2 · HORIBA
Catálogo técnico · Pulsed-RF GD-OES e DiP
ELEMENT GD Plus · Thermo Scientific
Catálogo técnico · GD-MS de alta resolução
Os documentos são materiais oficiais dos respectivos fabricantes e foram incorporados para consulta local.
Perguntas frequentes
O essencial antes de escolher
A decisão começa pela matriz, concentração esperada, geometria da amostra e informação desejada em profundidade.
Qual é a diferença entre GD-OES e GD-MS?
O GD-OES prioriza velocidade, análise simultânea e perfis elementares de camadas. O GD-MS de alta resolução prioriza sensibilidade, seletividade e quantificação de traços e ultratraços em materiais de alta pureza.
Glow Discharge analisa a amostra sólida diretamente?
Sim. A superfície é pulverizada de forma controlada por um plasma de baixa pressão. O material removido é analisado por emissão óptica no GD-OES ou por espectrometria de massas no GD-MS.
É possível obter perfil de profundidade?
Sim. Como a remoção ocorre camada a camada, as duas técnicas podem acompanhar a distribuição elementar em profundidade. O desempenho depende do material, da espessura e das condições de análise.
A análise é destrutiva?
Sim. O processo forma uma cratera localizada na amostra. A área e a profundidade variam com o sistema, a geometria e o método analítico.
A SENS ajuda a avaliar a amostra?
Sim. A equipe avalia matriz, formato, faixa analítica, elementos críticos, produtividade e necessidade de depth profiling para orientar a tecnologia e a configuração.
Tecnologias de Glow Discharge para diferentes materiais.
Informe à SENS a matriz, o objetivo analítico e a faixa de concentração esperada.