Perfil elemental ultrarrápido
Tasas típicas de erosión en el orden de micrómetros por minuto permiten acompañar procesos, lotes y múltiples puntos de la muestra.
HORIBA · Pulsed-RF GD-OES
GD-Profiler 2: composición elemental en profundidad
Caracterización elemental rápida de materiales en capas, con emisión óptica simultánea, fuente RF pulsada y medición directa de la profundidad por interferometría diferencial.
HORIBA
Diferenciales analíticos
Adquisición rápida de toda la estructura de la capa
El sistema combina sputtering rápido, detección óptica simultánea y recursos dedicados a la conversión de la señal en concentración y profundidad.
Resolución de la superficie al sustrato
Perfiles con resolución nanométrica o subnanométrica en aplicaciones adecuadas, extendiendo a capas con más de 150 μm.
Todos los elementos simultáneamente
Detección óptica de alta dinámica para acompañar simultáneamente elementos de interés a lo largo del perfil.
Conductores y no conductores
La fuente RF pulsada amplía el análisis para aislantes, materiales híbridos, polímeros y muestras sensibles al calor.
Profundidad medida durante el análisis
DiP mide la profundidad y la tasa de erosión en tiempo real, al mismo tiempo al perfil GD.
Del hidrógeno al infrarrojo
Cobertura óptica de VUV al IR para líneas de elementos ligeros y especies relevantes en materiales tecnológicos.
120–800 nmCobertura espectral
2–10 nm/sErosión típica indicada
>150 µmProfundidad en aplicaciones adecuadas
Del sólido al resultado
Un perfil construido capa por capa
La fuente separa espacialmente erosión y emisión, favoreciendo una relación directa entre intensidad óptica y concentración en el plasma.
01
Posicione la muestra
La superficie se coloca contra el O-ring y delante del tubo anódico de la fuente.
02
Establecer el plasma de RF
El plasma de argón en baja presión inicia la pulverización controlada.
03
Medir emisión
El sistema acompaña simultáneamente las líneas de los elementos a lo largo del tiempo.
04
Convertir el tiempo en profundidad
El Quantum procesa concentración, espesor e interfaces; el DiP puede medir la profundidad directamente.
Aplicaciones
Materiales en los que la distribución importa tanto como la composición
El GD-Profiler 2 es especialmente útil cuando la pregunta involucra superficie, revestimiento, interfaz, gradiente o sustrato.
Baterías
Electrodos positivos y negativos, capas gruesas e interfaces superficiales, inclusive estrategias para muestras sensibles al aire.
Nitretación y difusión
Perfiles en profundidad de nitrógeno, carbono y otros elementos en tratamientos de acero y aleaciones.
LED y semiconductores
Control de procesos, interfaces y estructuras multicapas con alta resolución en profundidad.
Revestimientos metálicos
Espesura, uniformidad, composición, defectos e interacciones entre recubrimiento y sustrato.
Hidrógeno y deuterio
Medición directa de H y posibilidad de acompañar H y D simultáneamente en aplicaciones específicas.
Fotovoltaica
Películas funcionales, células solares, contactos, capas transparentes y desarrollo de procesos.
Polímeros e híbridos
Perfiles rápidos en capas poliméricas, aislantes y combinaciones orgánica-inorgánicas.
Materiales avanzados
Multicapadas, gradientes, óxidos, superficies funcionales y estudios de difusión y fallas.
Arquitectura y desempeño
Fuente pulsada, óptica de alta dinámica y DiP
La arquitectura fue desarrollada para mantener velocidad, resolución en profundidad y flexibilidad de materiales en la misma plataforma.
Consultar catálogo completoFuente de descargaPlasma RF de 13,56 MHz, baja presión y operación pulsada.
Cobertura espectral120-800 nm, del VUV al infrarrojo.
Detección ópticaMedición simultánea con High Dynamic Detection y opción de monocromador de alta resolución.
Perfil en profundidadDel primero nanómetro a más de 150 μm, conforme material y método.
DiPInterferometría diferencial para medición simultánea de la profundidad y las tasas de erosión.
MaterialesConductores, no conductores, polímeros, híbridos, películas delgadas y capas gruesas.
ProductividadCompartimiento amplio y Sample Mapping Unit opcional para mediciones automatizadas en múltiples puntos o muestras.
SoftwareQuantum para concentración, porcentaje atómico, profundidad, espesor y peso de recubrimiento.
Datos resumidos del catálogo oficial HORIBA. El desempeño depende de la configuración óptica, del ánodo, del material, de la calibración y de las condiciones de análisis.
Marco de la solución
Antes de definir la configuración
La matriz, la geometría, la concentración esperada y el tipo de información deseada determinan el método y los accesorios necesarios.
Indicaciones técnicas
✓El objetivo es medir perfiles elementales de la superficie al sustrato.
✓Camadas, interfaces o gradientes necesitan ser resueltos rápidamente.
✓La muestra incluye materiales no conductores o sensibles al calor.
✓Elementos ligeros, incluyendo H, O, C o N, son importantes para la aplicación.
La configuración debe considerar...
→Geometría, planicidad, área disponible y espesor de la muestra.
→Elementos, líneas espectrales y intervalo de concentración esperada.
→Espesura de las capas y resolución en profundidad necesaria.
→Necesidad de DiP, automatización, accesorios para pequeñas muestras o manoseo especial.
Material técnico
Catálogo GD-Profiler 2
Archivo oficial incorporado en esta página. La descarga funciona sin abrir servidores externos.
GD-Profiler 2 · Pulsed RF GDOES con DiP
Catálogo técnico oficial HORIBA con principio, rendimiento, aplicaciones, fuente, óptica, software y accesorios.
Preguntas frecuentes
Lo esencial sobre GD-Profiler 2
Información para la evaluación inicial de aplicación.
¿GD-Profiler 2 analiza materiales no conductores?
Sí. La fuente RF pulsada permite trabajar con materiales conductores y no conductores, además de estructuras híbridas, según geometría y método.
¿El equipo mide la profundidad directamente?
Con el recurso DiP, la interferometría diferencial mide la profundidad y la tasa de erosión simultáneamente al análisis GD. Sin DiP, la conversión puede usar calibración de la tasa de erosión.
¿Cuál es la escala de profundidad cubierta?
El catálogo posiciona el sistema desde el primer nanómetro hasta más de 150 micrómetros, dependiendo del material, de la capa, del ánodo y de las condiciones analíticas.
¿La técnica es destructiva?
Sí. La descarga pulveriza un área localizada y produce un cráter en la muestra.
¿Es posible automatizar varias mediciones?
Sí. Sample Mapping Unit opcional puede automatizar mediciones en diferentes puntos o en un lote de muestras compatibles.
Evalúe su revestimiento, interfaz o material multicapa.
Envíe a la SENS la composición esperada, el tipo de capa, el espesor y la geometría disponible para el análisis.